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电子元器件详细资料 » IC[27582] » SI4967DY-T1-GE3
型号:SI4967DY-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V
电流_连续漏极(Id)0a025000C-
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C23 毫欧 @ 7.5A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222450mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs55nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大-
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市恒凯威科技开发有限公司朱先生086-0755-22207335 0755-22318162
深圳市芯满林科技有限公司夏小姐18926544209/18025435189
北京首天伟业科技有限公司刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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SI4967DY-T1-GE3相关型号

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